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Nachweis von Stapelfehlern in GaN-Epitaxieschichten mittels Elektronenbeugung

Nachweis von Stapelfehlern in GaN-Epitaxieschichten mittels Elektronenbeugung

Dr. A. Tempel; Dr. W. Seifert
  • 作者Dr. A. Tempel; Dr. W. Seifert
  • 卷第10卷
  • 期第7期
  • 印刷ISSN0232-1300
  • 电子ISSN1521-4079
  • 文件大小356.63KB
  • 发表时间1975
  • DOI10.1002/crat.19750100707
  • 页码741-746
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