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Silicon- and selenium-ion-implanted GaAs reproducibly annealed at temperatures up to 950 °C

Silicon- and selenium-ion-implanted GaAs reproducibly annealed at temperatures up to 950 °C

Donnelly, J. P.; Lindley, W. T.; Hurwitz, C. E.

期刊名称Applied Physics Letters
作者Donnelly, J. P.; Lindley, W. T.; Hurwitz, C. E.
卷第27卷
期第1期
印刷ISSN0003-6951
文件大小499.09KB
发表时间1975
DOI10.1063/1.88260

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