Measurements of electron channeling pattern linewidths in silicon
- 作者R. C. Farrow; D. C. Joy
- 卷第2卷
- 期第4期
- 印刷ISSN0161-0457
- 电子ISSN1932-8745
- 文件大小1581.55KB
- 发表时间1979
- DOI10.1002/sca.4950020407
- 页码249-254
Hochauflösende Auger-Elektronenspektroskopie zur Untersuchung von HartstoffbeschichtungenH. -W. Etzkorn; H. Hantsche; H. Steininger · 1984
Über die Funktion <div class="graphic"><img alt="equation image" src="http://onlinelibrary.wiley.com/store/10.1002/zamm.19770570114/asset/equation/nueq001.gif?v=1&t=h5kgvw2r&s=bc5ce0ef0467f31f3c4eeb5f10dde5f9ed5a0290"></div>Dr. H. Hantsche · 1977
A simple beam current stabilizing unit for SEMsJ. Arndt; H. Hantsche; D. Schmidt · 1978
GeV heavy ion induced adhesion enhancementL. Wang; N. Angert; D. Rück; C. Trautmann; J. Vetter; Z. Quan; H. Hantsche · 1993
Untersuchung der Korrosion an einer Hartlötverbindung mit Hilfe der Scanning-Auger-MikrosondeW. Brandl; H. Bubert; H. Hantsche; H. Jenett; H. -D. Steffens · 1987
Some aspects of the charging effect in monochromatized focused XPSX. Yu; H. Hantsche · 1993
High spatial resolution auger electron spectroscopy and x-ray photoelectron spectroscopyH. Hantsche · 1989
Optical absorption of amorphous WO3 and binding state of tungstenA. Temmink; O. Anderson; K. Bange; H. Hantsche; X. Yu · 1990