The Applicability of Light-Microscopical Methods for the Investigation of Dislocation Structure in Semiconductors
- 作者Dr. K. Löschke; Dr. V. Gottschalch; Dr. K. Jacobs; Dr. A. Tempel
- 卷第14卷
- 期第7期
- 印刷ISSN0232-1300
- 电子ISSN1521-4079
- 文件大小536.23KB
- 发表时间1979
- DOI10.1002/crat.19790140715
- 页码887-894
Über die Versetzungsvervielfachung in SiliziumeinkristallenDr. W. Geil; Dr. K. Schmugge · 1977
Über die Versetzungsverteilung bei der Züchtung von SiliziumeinkristallenDr. W. Geil; Dr. K. Schmugge · 1976
Über Wechselwirkungen zwischen Versetzungsdichte, Fremdstoffen und Spannungen im SiliziumeinkristallDr. rer. nat. W. Geil; Dipl.-Met. M. Markus; Dr. rer. nat. K. Schmugge; Dipl.-Min. R. Thomas · 1976
Zur Bedeutung radialer und axialer Temperaturgradienten für die Spannungen in KristallenDr. W. Geil; Dr. K. Schmugge · 1978
Über Versetzungsbildungsmechanismen bei der Züchtung von Si-Einkristallen und ihre DeutungDr.Phys. W. Geil; Dr. A. Lebek; Dipl. Phys. K. Schmugge · 1976
Über Möglichkeiten zur Deutung der Verteilung der Strukturdefekte 1. Ordnung bei 〈100〉-orientierten Halbleitereinkristallen am Beispiel des GaAsDr. rer. nat. W. Geil; Dr. rer. nat. K. Schmugge; G. Weichelt · 1977
Über die Anwendung axialen Gleichstroms bei der Züchtung von Si-Einkristallen großer DurchmesserDr. A. Lebek; Dipl.-Phys. W. Geil; Dipl.-Phys. K. Schmugge · 1972