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Improving the radiative yield of GaAs by laser annealing

Improving the radiative yield of GaAs by laser annealing

Rostworowski, J. A.; Parsons, R. R.; Hutcheon, D. G.

期刊名称Applied Physics Letters
作者Rostworowski, J. A.; Parsons, R. R.; Hutcheon, D. G.
卷第35卷
期第12期
印刷ISSN0003-6951
文件大小551.90KB
发表时间1979
DOI10.1063/1.91011

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