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Contribution to range statistics of Boron implanted into Silicon at high energies

Contribution to range statistics of Boron implanted into Silicon at high energies

A.G.K. Lutsch; C.A.B. Ball; F.D. Auret; H.C. Snyman

作者A.G.K. Lutsch; C.A.B. Ball; F.D. Auret; H.C. Snyman
卷第12卷
期第2期
印刷ISSN0026-2692
文件大小247.53KB
发表时间1981
DOI10.1016/s0026-2692(81)80469-7
页码25-29

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