VIB-5 submicrometer-gate self-aligned GaAs FET with p-type barrier layer fabricated by ion implantation

• 作者Matsumoto, K.; Hashizume, N.; Atoda, N.
• 卷第31卷
• 期第12期
• 印刷ISSN0018-9383
• 电子ISSN1557-9646
• 文件大小167.28KB
• 发表时间1984
• DOI10.1109/t-ed.1984.21893
• 页码1987-1987