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Ion distribution near a mask edge with arbitrary shape for VLSI IC applications

Ion distribution near a mask edge with arbitrary shape for VLSI IC applications

A.G.K. Lutsch; D.R. Oosthuizen

作者A.G.K. Lutsch; D.R. Oosthuizen
卷第16卷
期第4期
印刷ISSN0026-2692
文件大小509.47KB
发表时间1985
DOI10.1016/s0026-2692(85)80066-5
页码5-16

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