Radiation-Induced Interface-State Generation in MOS Devices

Schwank, J. R.; Winokur, P. S.; Sexton, F. W.; Fleetwood, D. M.; Perry, J. H.; Dressendorfer, P. V.; Sanders, D. T.; Turpin, D. C.

期刊名称IEEE Transactions on Nuclear Science
作者Schwank, J. R.; Winokur, P. S.; Sexton, F. W.; Fleetwood, D. M.; Perry, J. H.; Dressendorfer, P. V.; Sanders, D. T.; Turpin, D. C.
卷第33卷
期第6期
印刷ISSN0018-9499
文件大小1446.75KB
发表时间1986
DOI10.1109/TNS.1986.4334575
页码1177-1184

发现好书期刊，享受阅读乐趣