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Improvements in the heteroepitaxy of GaAs on Si

Improvements in the heteroepitaxy of GaAs on Si

Lum, R. M.; Klingert, J. K.; Davidson, B. A.; Lamont, M. G.

期刊名称Applied Physics Letters
作者Lum, R. M.; Klingert, J. K.; Davidson, B. A.; Lamont, M. G.
卷第51卷
期第1期
印刷ISSN0003-6951
文件大小589.89KB
发表时间1987
DOI10.1063/1.98878

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