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Simulation of silicon thermal oxidation

Simulation of silicon thermal oxidation

Lee, Chongmu
  • 期刊名称Physical Review B
  • 作者Lee, Chongmu
  • 卷第36卷
  • 期第5期
  • 印刷ISSN0163-1829
  • 文件大小351.38KB
  • 发表时间1987-8-15
  • DOI10.1103/PhysRevB.36.2793
  • 页码2793-2798
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