Numerical simulation of GaAs MESFET's on the semi-insulting substrate compensated by deep traps

• 期刊名称IEEE Transactions on Electron Devices
• 作者Horio, K.; Yanai, H.; Ikoma, T.
• 卷第35卷
• 期第11期
• 印刷ISSN0018-9383
• 文件大小781.72KB
• 发表时间1988
• DOI10.1109/16.7387
• 页码1778-1785