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Determination of the D 0/− level in amorphous Si,Ge:H(F) by time-of-flight charge collection

Shen, D. S.; Conde, J. P.; Chu, V.; Liu, J. Z.; Aljishi, S.; Smith, Z E.; Maruyama, A.; Wagner, S.

期刊名称Applied Physics Letters
作者Shen, D. S.; Conde, J. P.; Chu, V.; Liu, J. Z.; Aljishi, S.; Smith, Z E.; Maruyama, A.; Wagner, S.
卷第53卷
期第16期
印刷ISSN0003-6951
文件大小441.45KB
发表时间1988
DOI10.1063/1.99950