发现好书期刊，享受阅读乐趣

海量图书期刊资源，随时随地畅享阅读乐趣

Interpretation of transient currents in amorphous-silicon hydride p-i-n and n-i-n devices

Interpretation of transient currents in amorphous-silicon hydride p-i-n and n-i-n devices

Shapiro, F.R.; Bar-Yam, Y.; Silver, M.

作者Shapiro, F.R.; Bar-Yam, Y.; Silver, M.
卷第36卷
期第12期
印刷ISSN0018-9383
电子ISSN1557-9646
文件大小358.58KB
发表时间1989
DOI10.1109/16.40938
页码2785-2788

← 返回【学霸图书馆】主页