Field-drifting resonant tunneling through a-Si:H/a-Si1-xCx:H quantum wells at different locations of the i-layer of a p-i-n structure

• 作者Jiang, Y.-L.; Hwang, H.-L.
• 卷第36卷
• 期第12期
• 印刷ISSN0018-9383
• 电子ISSN1557-9646
• 文件大小485.14KB
• 发表时间1989
• DOI10.1109/16.40966
• 页码2816-2820