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<![CDATA[Hot-electron-induced instability in 0.5- mu m p-channel MOSFETs patterned using synchrotron X-ray lithography]]>

Hsu, C.C.-H.; Wang, L.K.; Wordeman, M.R.; Ning, T.H.

作者Hsu, C.C.-H.; Wang, L.K.; Wordeman, M.R.; Ning, T.H.
卷第10卷
期第7期
文件大小288.11KB
发表时间1989
DOI10.1109/55.29668
页码327-329

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