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Degradation and Breakdown of Gate Oxides in VLSI Devices

Degradation and Breakdown of Gate Oxides in VLSI Devices

J. Suñé; I. Placencia; N. Barniol; E. Farrés; X. Aymerich

作者J. Suñé; I. Placencia; N. Barniol; E. Farrés; X. Aymerich
卷第111卷
期第2期
印刷ISSN1862-6319
文件大小743.66KB
发表时间1989
DOI10.1002/pssa.2211110235
页码675-685

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