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p-type doping of gallium antimonide grown by molecular beam epitaxy using silicon

p-type doping of gallium antimonide grown by molecular beam epitaxy using silicon

Rossi, T. M.; Collins, D. A.; Chow, D. H.; McGill, T. C.

期刊名称Applied Physics Letters
作者Rossi, T. M.; Collins, D. A.; Chow, D. H.; McGill, T. C.
卷第57卷
期第21期
印刷ISSN0003-6951
文件大小547.40KB
发表时间1990
DOI10.1063/1.103907

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