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Dislocation density reduction in GaAs epilayers on Si using strained layer superlattices

Dislocation density reduction in GaAs epilayers on Si using strained layer superlattices

S. Sharan; J. Narayan; J. C. C. Fan

作者S. Sharan; J. Narayan; J. C. C. Fan
卷第20卷
期第7期
印刷ISSN0361-5235
电子ISSN1543-186X
文件大小1772.83KB
发表时间1991-07
DOI10.1007/bf02665965
页码779-784

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