Conservation of bond lengths in strained Ge-Si layers

Woicik, J. C.; Bouldin, C. E.; Bell, M. I.; Cross, J. O.; Tweet, D. J.; Swanson, B. D.; Zhang, T. M.; Sorensen, L. B.; King, C. A.; Hoyt, J. L.; Pianetta, P.; Gibbons, J. F.

期刊名称Physical Review B
作者Woicik, J. C.; Bouldin, C. E.; Bell, M. I.; Cross, J. O.; Tweet, D. J.; Swanson, B. D.; Zhang, T. M.; Sorensen, L. B.; King, C. A.; Hoyt, J. L.; Pianetta, P.; Gibbons, J. F.
卷第43卷
期第3期
印刷ISSN0163-1829
电子ISSN1095-3795
文件大小222.43KB
发表时间1991-1-15
DOI10.1103/PhysRevB.43.2419
页码2419-2422

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Conservation of bond lengths in strained Ge-Si layers