g-factor and effective mass anisotropies in pseudomorphic strained layers

• 期刊名称Semiconductor Science and Technology
• 作者Hendorfer, G; Schneider, J
• 卷第6卷
• 期第7期
• 印刷ISSN0268-1242
• 电子ISSN1361-6641
• 文件大小426.03KB
• 发表时间1991-07-01
• DOI10.1088/0268-1242/6/7/005
• 页码595-601