Low‐temperature preparation of SiO2/Si(100) interfaces using a two‐step remote plasma‐assisted oxidation‐deposition process

• 作者Yasuda, T.; Ma, Y.; Habermehl, S.; Lucovsky, G.
• 卷第60卷
• 期第4期
• 电子ISSN0003-6951
• 文件大小591.92KB
• 发表时间1992
• DOI10.1063/1.106626