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GaAs (111) and (1’-.2m’’.3m’¯ ’.2m’’-.3m’ 1’-.2m’’.3m’¯ ’.2m’’-.3m’ 1’-.2m’’.3m’¯ ’.2m’’-.3m’ ) surfaces and the GaAs/AlAs (111) heterojunction studied using a local energy density

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Chetty, N.; Martin, Richard M.

期刊名称Physical Review B
作者Chetty, N.; Martin, Richard M.
卷第45卷
期第11期
印刷ISSN0163-1829
电子ISSN1095-3795
文件大小570.05KB
发表时间1992-3-15
DOI10.1103/PhysRevB.45.6089
页码6089-6100

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