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Structural and electronic properties of strained Ge/InP(100) heterostructures

Structural and electronic properties of strained Ge/InP(100) heterostructures

Rioux, Dennis; Patel, Rajesh; Höchst, Hartmut
  • 期刊名称Physical Review B
  • 作者Rioux, Dennis; Patel, Rajesh; Höchst, Hartmut
  • 卷第45卷
  • 期第11期
  • 印刷ISSN0163-1829
  • 电子ISSN1095-3795
  • 文件大小677.80KB
  • 发表时间1992-3-15
  • DOI10.1103/PhysRevB.45.6060
  • 页码6060-6068
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