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Surface morphology of Si on Si(100) grown below 500 °C using H/Cl exchange chemistry

Surface morphology of Si on Si(100) grown below 500 °C using H/Cl exchange chemistry

Koleske, D. D.; Gates, S. M.

期刊名称Journal of Applied Physics
作者Koleske, D. D.; Gates, S. M.
卷第74卷
期第6期
印刷ISSN0021-8979
文件大小671.61KB
发表时间1993
DOI10.1063/1.354433

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