发现好书期刊，享受阅读乐趣

海量图书期刊资源，随时随地畅享阅读乐趣

High performance ultrathin SOI MOSFET's obtained by localized oxidation

High performance ultrathin SOI MOSFET's obtained by localized oxidation

Faynot, O.; Giffard, B.
  • 期刊名称IEEE Electron Device Letters
  • 作者Faynot, O.; Giffard, B.
  • 卷第15卷
  • 期第5期
  • 印刷ISSN0741-3106
  • 电子ISSN1558-0563
  • 文件大小289.92KB
  • 发表时间1994-05
  • DOI10.1109/55.291595
  • 页码175-177
同期刊推荐
← 返回【学霸图书馆】主页
© 2026 学霸图书馆 · 让阅读成为习惯