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Atomic layer epitaxy of Si on Ge(100) using Si2Cl6 and atomic hydrogen

Atomic layer epitaxy of Si on Ge(100) using Si2Cl6 and atomic hydrogen

Koleske, D. D.; Gates, S. M.
  • 期刊名称Applied Physics Letters
  • 作者Koleske, D. D.; Gates, S. M.
  • 卷第64卷
  • 期第7期
  • 印刷ISSN0003-6951
  • 文件大小676.45KB
  • 发表时间1994
  • DOI10.1063/1.110984
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