A study of chemical beam epitaxy of GaAs using tris-dimethylaminoarsenic
- 作者H. K. Dong; N. Y. Li; C. W. Tu; M. Geva; W. C. Mitchel
- 卷第24卷
- 期第2期
- 印刷ISSN0361-5235
- 电子ISSN1543-186X
- 文件大小528.82KB
- 发表时间1995-02
- DOI10.1007/bf02659623
- 页码69-74
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