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Long-term bias temperature reliability of P+ polysilicon gated FET devices

Long-term bias temperature reliability of P+ polysilicon gated FET devices

Abadeer, W.W.; Tonti, W.R.; Hansch, W.E.; Schwalke, U.
  • 作者Abadeer, W.W.; Tonti, W.R.; Hansch, W.E.; Schwalke, U.
  • 卷第42卷
  • 期第2期
  • 印刷ISSN0018-9383
  • 电子ISSN1557-9646
  • 文件大小315.87KB
  • 发表时间1995
  • DOI10.1109/16.370055
  • 页码360-362
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