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A design solution to increasing the sensitivity of pMOS dosimeters: the stacked RADFET approach

A design solution to increasing the sensitivity of pMOS dosimeters: the stacked RADFET approach

Kelleher, A.; Lane, W.; Adams, L.

作者Kelleher, A.; Lane, W.; Adams, L.
卷第42卷
期第1期
印刷ISSN0018-9499
电子ISSN1558-1578
文件大小418.84KB
发表时间1995
DOI10.1109/23.364881
页码48-51

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