Formation of buried a-Si/Al/Si, a-Si/Sb/Si and a-Si/B/Si interfaces and their electrical properties

• 作者A.V. Zotov; F. Wittmann; J. Lechner; S.V. Ryzhkov; V.G. Lifshits; I. Eisele
• 卷第157卷
• 印刷ISSN0022-0248
• 文件大小293.07KB
• 发表时间1995
• DOI10.1016/0022-0248(95)00354-1
• 页码344-348