Band gap of ‘‘completely disordered’’ Ga0.52In0.48P

DeLong, M. C.; Mowbray, D. J.; Hogg, R. A.; Skolnick, M. S.; Williams, J. E.; Meehan, K.; Kurtz, Sarah R.; Olson, J. M.; Schneider, R. P.; Wu, M. C.; Hopkinson, M.

期刊名称Applied Physics Letters
作者DeLong, M. C.; Mowbray, D. J.; Hogg, R. A.; Skolnick, M. S.; Williams, J. E.; Meehan, K.; Kurtz, Sarah R.; Olson, J. M.; Schneider, R. P.; Wu, M. C.; Hopkinson, M.
卷第66卷
期第23期
印刷ISSN0003-6951
文件大小317.73KB
发表时间1995
DOI10.1063/1.113717

发现好书期刊，享受阅读乐趣

Band gap of ‘‘completely disordered’’ Ga0.52In0.48P