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Metal-semiconductor fluctuation in the Sn adatoms in the Si(111)-Sn and Ge(111)-Sn (√3×√3)
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30° reconstructions

Metal-semiconductor fluctuation in the Sn adatoms in the Si(111)-Sn and Ge(111)-Sn (√3×√3) R 30° reconstructions

Göthelid, M.; Björkqvist, M.; Grehk, T. M.; Le Lay, G.; Karlsson, U. O.

期刊名称Physical Review B
作者Göthelid, M.; Björkqvist, M.; Grehk, T. M.; Le Lay, G.; Karlsson, U. O.
卷第52卷
期第20期
印刷ISSN0163-1829
电子ISSN1095-3795
文件大小215.19KB
发表时间1995-11-15
DOI10.1103/PhysRevB.52.R14352

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