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Low-frequency noise in 4H–silicon carbide junction field effect transistors

Low-frequency noise in 4H–silicon carbide junction field effect transistors

Palmour, J. W.; Levinshtein, M. E.; Rumyantsev, S. L.; Simin, G. S.

期刊名称Applied Physics Letters
作者Palmour, J. W.; Levinshtein, M. E.; Rumyantsev, S. L.; Simin, G. S.
卷第68卷
期第19期
印刷ISSN0003-6951
文件大小333.69KB
发表时间1996
DOI10.1063/1.116276

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