Using neutral metastable argon atoms and contamination lithography to form nanostructures in silicon, silicon dioxide, and gold

K. S. Johnson; K. K. Berggren; A. Black; C. T. Black; A. P. Chu; N. H. Dekker; D. C. Ralph; J. H. Thywissen; R. Younkin; M. Tinkham; M. Prentiss; G. M. Whitesides

作者K. S. Johnson; K. K. Berggren; A. Black; C. T. Black; A. P. Chu; N. H. Dekker; D. C. Ralph; J. H. Thywissen; R. Younkin; M. Tinkham; M. Prentiss; G. M. Whitesides
文件大小646.62KB
发表时间1996
DOI10.1063/1.117671

发现好书期刊，享受阅读乐趣

Using neutral metastable argon atoms and contamination lithography to form nanostructures in silicon, silicon dioxide, and gold