Evolution of interstitial- and vacancy-type defects upon thermal annealing in ion-implanted Si

Libertino, S.; Benton, J. L.; Jacobson, D. C.; Eaglesham, D. J.; Poate, J. M.; Coffa, S.; KringhoÌ¸j, P.; Fuochi, P. G.; Lavalle, M.

期刊名称Applied Physics Letters
作者Libertino, S.; Benton, J. L.; Jacobson, D. C.; Eaglesham, D. J.; Poate, J. M.; Coffa, S.; KringhoÌ¸j, P.; Fuochi, P. G.; Lavalle, M.
卷第71卷
期第3期
印刷ISSN0003-6951
文件大小262.09KB
发表时间1997
DOI10.1063/1.119546

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