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The effect of impurity content on point defect evolution in ion implanted and electron irradiated Si

Libertino, S.; Benton, J. L.; Jacobson, D. C.; Eaglesham, D. J.; Poate, J. M.; Coffa, S.; Fuochi, P. G.; Lavalle, M.

期刊名称Applied Physics Letters
作者Libertino, S.; Benton, J. L.; Jacobson, D. C.; Eaglesham, D. J.; Poate, J. M.; Coffa, S.; Fuochi, P. G.; Lavalle, M.
卷第70卷
期第22期
印刷ISSN0003-6951
文件大小267.78KB
发表时间1997
DOI10.1063/1.118770