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PdSi device characteristics on 100 MeV gold ions irradiation

PdSi device characteristics on 100 MeV gold ions irradiation

PC Srivastava; SP Pandey; DK Avasthi; K Asokan

作者PC Srivastava; SP Pandey; DK Avasthi; K Asokan
卷第48卷
期第12期
印刷ISSN0042-207X
文件大小228.36KB
发表时间1997
DOI10.1016/s0042-207x(97)00104-8
页码965-967

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