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Selective area epitaxy of GaAs using tri-isopropylgallium

Selective area epitaxy of GaAs using tri-isopropylgallium

Ruth Zhang; Raymond Tsui; Kumar Shiralagi; John Tresek

作者Ruth Zhang; Raymond Tsui; Kumar Shiralagi; John Tresek
卷第27卷
期第5期
印刷ISSN0361-5235
电子ISSN1543-186X
文件大小3100.26KB
发表时间1998
DOI10.1007/s11664-998-0176-2
页码446-450

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