发现好书期刊,享受阅读乐趣

海量图书期刊资源,随时随地畅享阅读乐趣

Erratum: Random and channeling stopping powers and charge-state distributions in silicon for 0.2–1.2 MeV/u positive heavy ions [Phys. Rev. B
              <b>59</b>
              , 226 (1999)]

Erratum: Random and channeling stopping powers and charge-state distributions in silicon for 0.2–1.2 MeV/u positive heavy ions [Phys. Rev. B 59 , 226 (1999)]

Jiang, W.; Grötzschel, R.; Pilz, W.; Schmidt, B.; Möller, W.
  • 期刊名称Physical Review B
  • 作者Jiang, W.; Grötzschel, R.; Pilz, W.; Schmidt, B.; Möller, W.
  • 卷第60卷
  • 期第1期
  • 印刷ISSN0163-1829
  • 电子ISSN1095-3795
  • 文件大小68.66KB
  • 发表时间1999-7-1
  • DOI10.1103/PhysRevB.60.714
  • 页码714-716
← 返回【学霸图书馆】主页