Dopant activation of heavily doped silicon-on-insulator by high density currents
Chen, Chih; Huang, J. S.; Liao, C. N.; Tu, K. N.
- 期刊名称Journal of Applied Physics
- 作者Chen, Chih; Huang, J. S.; Liao, C. N.; Tu, K. N.
- 卷第86卷
- 期第3期
- 印刷ISSN0021-8979
- 文件大小527.15KB
- 发表时间1999
- DOI10.1063/1.370928