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Dopant activation of heavily doped silicon-on-insulator by high density currents

Dopant activation of heavily doped silicon-on-insulator by high density currents

Chen, Chih; Huang, J. S.; Liao, C. N.; Tu, K. N.
  • 期刊名称Journal of Applied Physics
  • 作者Chen, Chih; Huang, J. S.; Liao, C. N.; Tu, K. N.
  • 卷第86卷
  • 期第3期
  • 印刷ISSN0021-8979
  • 文件大小527.15KB
  • 发表时间1999
  • DOI10.1063/1.370928
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