Ge-related faceting and segregation during the growth of metastable (GaAs)[sub 1−x](Ge[sub 2])[sub x] alloy layers by metal–organic vapor-phase epitaxy

Norman, A. G.; Olson, J. M.; Geisz, J. F.; Moutinho, H. R.; Mason, A.; Al-Jassim, M. M.; Vernon, S. M.

期刊名称Applied Physics Letters
作者Norman, A. G.; Olson, J. M.; Geisz, J. F.; Moutinho, H. R.; Mason, A.; Al-Jassim, M. M.; Vernon, S. M.
卷第74卷
期第10期
印刷ISSN0003-6951
文件大小531.86KB
发表时间1999
DOI10.1063/1.123557

发现好书期刊，享受阅读乐趣