A study on /spl Rfr//sup m/→/spl Rfr//sup 1/ maps: application to a 0.16-μm via etch process endpoint

• 期刊名称IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing
• 作者Rietman, E.A.; Layadi, N.
• 卷第13卷
• 期第4期
• 印刷ISSN0894-6507
• 文件大小262.44KB
• 发表时间2000
• DOI10.1109/66.892632
• 页码457-468