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Full band Monte Carlo modeling of impact ionization, avalanche multiplication, and noise in submicron GaAs p[sup +]-i-n[sup +] diodes

Full band Monte Carlo modeling of impact ionization, avalanche multiplication, and noise in submicron GaAs p[sup +]-i-n[sup +] diodes

Ong, D. S.; Li, K. F.; Plimmer, S. A.; Rees, G. J.; David, J. P. R.; Robson, P. N.
  • 期刊名称Journal of Applied Physics
  • 作者Ong, D. S.; Li, K. F.; Plimmer, S. A.; Rees, G. J.; David, J. P. R.; Robson, P. N.
  • 卷第87卷
  • 期第11期
  • 印刷ISSN0021-8979
  • 文件大小403.43KB
  • 发表时间2000
  • DOI10.1063/1.373472
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