Effect of current crowding on contact failure in heavily doped n+- and p+-silicon-on-insulator

Huang, J. S.; Chen, Chih; Yeh, C. C.; Tu, K. N.; Shofner, T. L.; Drown, J. L.; Irwin, R. B.; Vartuli, C. B.

期刊名称Journal of Materials Research
作者Huang, J. S.; Chen, Chih; Yeh, C. C.; Tu, K. N.; Shofner, T. L.; Drown, J. L.; Irwin, R. B.; Vartuli, C. B.
卷第15卷
期第11期
印刷ISSN0884-2914
电子ISSN2044-5326
文件大小831.46KB
发表时间2000-11
DOI10.1557/JMR.2000.0343
页码2387-2392

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