Investigation of silicon implanted with carbon ions

• 作者S. V. Bulyarskii; A. S. Ambrozevich; S. S. Moliver; T. A. Dzhabrailov; R. M. Bayazitov; R. I. Batalov
• 卷第27卷
• 期第3期
• 印刷ISSN1063-7850
• 电子ISSN1090-6533
• 文件大小46.32KB
• 发表时间2001-03
• DOI10.1134/1.1359843
• 页码254-255