Structural characterization of high-dose C++N+ ion-implanted (1 1 1) Si

• 作者L. Barbadillo; M.J. Hernández; M. Cervera; P. Rodrı́guez; J. Piqueras; S.I. Molina; F.M. Morales; D. Araújo
• 卷第184卷
• 期第3期
• 印刷ISSN0168-583X
• 文件大小645.82KB
• 发表时间2001
• DOI10.1016/s0168-583x(01)00783-2
• 页码361-370