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A comprehensive model of backgate impedance dispersions in GaAs isolation structures

A comprehensive model of backgate impedance dispersions in GaAs isolation structures

Boroumnd, F.A.; Swanson, J.G.

作者Boroumnd, F.A.; Swanson, J.G.
卷第48卷
期第9期
印刷ISSN0018-9383
电子ISSN1557-9646
文件大小209.43KB
发表时间2001
DOI10.1109/16.944170
页码1859-1869

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