Improved modulation performance of a silicon p-i-n device by trench isolation

• 期刊名称jlt/19/3/jlt-19-3-387.pdf
• 作者Hewitt, P.D.; Reed, G.T.
• 卷第19卷
• 期第3期
• 印刷ISSN0733-8724
• 电子ISSN1558-2213
• 文件大小141.12KB
• 发表时间2001
• DOI10.1109/50.918892
• 页码387-390