Intentional Control of n-type Conduction for Si-doped AlN and AlxGa1—xN with High Al Content

• 作者Y. Taniyasu; M. Kasu; N. Kobayashi
• 卷第234卷
• 期第3期
• 印刷ISSN0370-1972
• 电子ISSN1521-3951
• 文件大小99.37KB
• 发表时间2002
• DOI10.1002/1521-3951(200212)234:3<845::aid-pssb845>3.0.co;2-0
• 页码845-849